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2023年VLSI技术和电路研讨会将于2023年6月11至16日在日本京都举行，铠侠（Kioxia）和西部数据将展示最新的创新成果，以支持未来更高容量、更高性能的3D NAND存储设备。

据eeNewsEurope报道，铠侠和西部数据正在寻求实现8平面（eight-plane）的1Tb 3D TLC NAND闪存，具有超过210个活动层，接口速率达到了3.2 GT/s。这与今年3月推出的218层3DNAND闪存非常相似，密度为17Gb/mm^2，只不过从4平面变成了8平面，这一定程度上也增加了存储控制的复杂性，推高了开发和制造的成本，产品开发的时间也变长了。据称，其程序吞吐量为205 MB/s，读取延迟为40μs。

新的论文显示，铠侠是将1Tb 3D TLC NAND闪存X方向数据查询区域减少到41%，从而实现3.2 GT/s的接口速率，使得存储器和主机之间的数据传输速度更快。不过这种新的设计可能会导致线路拥塞，铠侠通过引入混合行地址解码器（X-DEC），以更有效地管理增加的布线密度，从而减少延迟。此外，铠侠还利用了一种单脉冲双选通技术，允许在单个脉冲内感测两个存储单元，将总感测时间减少了18%。

铠侠和西部数据还合作开发300+层的3D NAND闪存，计划采用金属诱导侧向结晶（MILC）技术，让开发人员能够在垂直储孔内创建单晶14微米长的“通心粉状”硅（Si）通道。在实验性的操作中，开发人员还利用了一种尖端的吸镍方法消除硅材料中的杂质和缺陷，从而提高了单元阵列的性能，而且在没有牺牲可靠性的情况下，读取噪音至少降低了40%，通道电导率提高了10倍。

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